“十五”863计划新材料技术领域

重 点 成 果 汇 编

863计划新材料技术领域办公室

2006年7月

目 录

一、光电子材料与器件技术主题

序号	课题成果	页码
1	30 Gb/s高速率并行光发射模块研制	1
2	硅基高速光波导开关及其集成技术	2
3	40Gb/s超高速光纤传输系统可调谐色散补偿器	3
4	SiGe/Si单片集成高速OEIC光接收芯片的研究	4
5	GaN半导体光电材料的规模化关键生产技术的检测设备	5
6	硅基镓氮固态光源关键技术研究	6
7	2.5Gb/s混合集成光发射机与接收机芯片及模块关键技术	7
8	用于GaN的生产型MOCVD设备和虚拟仿真系统	8
9	ZnO短波长激光器若干关键技术研究	9
10	氮化镓基激光器	10
11	自主创新WDM集成解复用光探测器和关键工艺研究	11
12	高性能InP基、GaAs基谐振腔增强型长波长光探测器	12
13	新型深紫外非线性光学晶体材料和紫外、深紫外全固态激光器	13
14	15-30 Gb/s高速并行光接收模块	14
15	高性能半导体光放大器(SOA)规模化生产技术	15
16	红外量子级联激光器材料和器件研究	16
17	化学计量比铌酸锂晶体生长技术和批量生长技术	17
18	近场高密度光存储材料及器件	18
19	氮化镓基发光二极管外延片和器件制备的产业化关键技术	19
20	808nm连续100W光纤输出大功率激光二极管列阵模块	20
21	12Gb/s硅CMOS单片集成并行传输光接收机芯片研制	21
22	新一代GaInNAs/GaAs长波长材料与面发射激光器	22
23	新型MO源研制及其工艺研究	23
24	ZnO激光二极管研制和紫外激射的研究	24
25	新型非线性光学高分子材料及器件应用研究	25
26	新型深紫外倍频晶体CLBO及实用化技术研究	26
27	高质量大尺寸自支撑GaN衬底技术	27
28	InP基中远红外量子级联激光器的关键技术研究与开发	28
29	^大尺寸半导体SiC单晶衬底材料	29
30	有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术	30
31	基于氮化镓基发光二极管的白光光源研究	31
32	氮化镓基激光器	32
33	新型结构全光波长转换器的关键技术及产品化研究	33
34	GaN紫外探测器	34
35	宽带波长可调谐半导体激光器的研究与开发	35
36	Yb系列激光晶体技术：掺镱YAG晶体及其应用技术研究	36
37	单色及双色大面阵量子阱红外探测器	37
38	10-40Gb/s光收发关键器件芯片技术研究	38
39	10Gb/s DFB+EA 集成光源芯片及模块目标产品	39
40	光通信用10Gb/s激光器模块及关键技术	40
41	化学计量比LiNbO3、LiTaO3光学超晶格和全固态激光器	41
42	光纤光栅传感技术及产业化研究	42
43	1310/1550nm大功率超辐射发光二极管目标产品与规模化生产技术	43
44	超宽带(S+C+L)光纤放大器	44
45	新型通信光纤（S+C+L）	45
46	25GHz光梳状分波器研制